功率及化合物半導(dǎo)體論壇
2016-11-08 15:05:20
日期: 2017年3月15-16日
地點(diǎn): 上海浦東嘉里大酒店
地址: 上海市浦東新區(qū)花木路1388號
從以硅為代表的*代半導(dǎo)體開始，到以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導(dǎo)體，再到以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）寬禁帶材料為代表的第三代半導(dǎo)體，功率及化合物半導(dǎo)體對人類社會和科技影響越來越巨大，應(yīng)用涵蓋半導(dǎo)體照明、激光、顯示、移動通訊、消費(fèi)電子、綠色能源、現(xiàn)代交通等方方面面。
為響應(yīng)產(chǎn)業(yè)需求，SEMI中國整合旗下資源，將于SEMICON China 2017 重磅推出“功率及化合物半導(dǎo)體論壇”，內(nèi)容涵蓋“LED及光電”、“寬禁帶電力電子”、“化合物半導(dǎo)體及通訊”及“新型功率器件” 四個主題版塊。
Day1-2017年3月15日
Session1: LED及光電（原LED China 論壇）
回顧2016年，LED行業(yè)鏈盈利水平持續(xù)降低的趨勢漸止，LED產(chǎn)業(yè)跨行業(yè)并購已經(jīng)成為一個顯著趨勢。從三安嘗試收購砷化鎵通訊半導(dǎo)體制造大廠GCS、到華燦光電收購傳感器引領(lǐng)者美新半導(dǎo)體，中國LED制造商借資本之力在更大的泛半導(dǎo)體領(lǐng)域布局。
SEMICON China 2017期間，享譽(yù)業(yè)界的“LED China 論壇”將整合至SEMI旗下“功率及化合物半導(dǎo)體論壇”，議題更是引領(lǐng)業(yè)界前沿，涵蓋 Micro-LED、激光、UV-LED、光通訊、藍(lán)寶石、行業(yè)整合與并購等熱點(diǎn)議題。
Session2:寬禁帶半導(dǎo)體電力電子
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)，其本身具有的優(yōu)越性質(zhì)及其在微波功率器件領(lǐng)域應(yīng)用中潛在的巨大前景，非常適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。
本次會議將邀請全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上*具創(chuàng)新的公司，呈現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體制造前沿技術(shù)及在電力電子應(yīng)用的*新趨勢。
Day2-2017年3月16日
Session3: 化合物半導(dǎo)體及通訊
隨著近幾年智能移動終端出貨量大增，化合物半導(dǎo)體市場增長明顯加速，產(chǎn)業(yè)內(nèi)相關(guān)公司營收增長迅速，而中國企業(yè)在市場爆發(fā)中錯失增長紅利，國產(chǎn)化進(jìn)程箭在弦上。
本次會議探討GaAs、GaN等化合物半導(dǎo)體技術(shù)在無線網(wǎng)絡(luò)升級、衛(wèi)星導(dǎo)航、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用浪潮中廣闊市場空間和本土企業(yè)的機(jī)會。
Session4:新型功率器件
現(xiàn)代電力電子器件仍然在向大功率、易驅(qū)動和高頻化方向發(fā)展。IGBT、 MCT、 IEGT、SiC MOSFET 等電力電子器件的發(fā)展不斷推陳出新，對材料和半導(dǎo)體制造工藝都提出了更高的要求。
中國企業(yè)如何抓住本土市場良機(jī)，縮短與英飛凌、ABB、羅姆、東芝、松下等國外巨頭的差距，是亟待解決的問題。本次會議將整合設(shè)計、制造、封測及應(yīng)用廠商，探討行業(yè)的機(jī)會與挑戰(zhàn)。
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